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申请/专利权人：天合光能股份有限公司
摘要：本申请提供了一种太阳能电池和太阳能电池的制备方法，太阳能电池包括半导体区、位于半导体区上方的介质层和副栅，副栅包括交替排列的接触段和连接段，接触段的底面穿过介质层并与半导体区接触，连接段位于介质层的上方，连接段的侧面与相邻的接触段接触，其中，接触段的长度与连接段的长度之间的比值等于或大于1:1.5。本申请的太阳能电池和制备方法能够减少复合。
主权项：1.一种太阳能电池，所述太阳能电池包括半导体区、位于所述半导体区上方的介质层和副栅，其特征在于，所述副栅包括交替排列的接触段和连接段，所述接触段的底面穿过所述介质层并与所述半导体区接触，所述连接段位于所述介质层的上方，所述连接段的侧面与相邻的接触段接触，其中，所述接触段的长度与所述连接段的长度之间的比值等于或大于1:1.5，所述接触段的底面具有多个凹槽，所述介质层填充所述多个凹槽。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天合光能股份有限公司 太阳能电池和太阳能电池的制备方法
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