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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所
摘要：本公开提供了一种存储单元、存储器及存储器的控制方法，存储单元包括：基板、温度传感器层、绝缘层和存储结构层；温度传感器层至少包括由下至上依次堆叠的下电极层、介质层和上电极层，存储结构层至少包括晶体管结构和电容结构，上电极层在基板上的正投影与电容结构在基板上的正投影之间至少部分重合，以使电容结构的环境温度经由上电极层作用至介质层，改变介质层的电阻特性。本公开通过对存储单元的结构进行调整，在存储结构下方集成温度传感器层，利用温度传感器层中上电极层对温度的传递，使介质层的电阻特性随温度变化，实现针对当前存储结构的环境温度感测，使基于环境温度所实现的自刷新率得到有针对性的调节。
主权项：1.一种存储单元，其特征在于，包括：由下至上依次堆叠的基板、温度传感器层、绝缘层和存储结构层；其中，所述温度传感器层至少包括由下至上依次堆叠的下电极层、介质层和上电极层，所述存储结构层至少包括晶体管结构和电容结构，所述上电极层在所述基板上的正投影与所述电容结构在所述基板上的正投影之间至少部分重合，以使所述电容结构的环境温度经由所述上电极层作用至所述介质层，以改变所述介质层的电阻特性。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京超弦存储器研究院 中国科学院微电子研究所 一种存储单元、存储器及存储器的控制方法
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