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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：本公开涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置，包括：第一半导体结构，包括第一介电层和第一键合介电层的堆叠结构；第二半导体结构，包括第二介电层和第二键合介电层的堆叠结构；以及键合焊盘，贯穿第一介电层和第一键合介电层的堆叠结构以及第二介电层和第二键合介电层的堆叠结构，其中，第一键合介电层和第二键合介电层彼此接触，并且键合焊盘的贯穿第一介电层的第一部分的第一宽度大于以下中的每一个：键合焊盘的贯穿第一键合介电层的第二部分的第二宽度和键合焊盘的贯穿第二键合介电层第三部分的第三宽度。
主权项：1.一种半导体装置，包括：第一半导体结构，所述第一半导体结构包括第一介电层和第一键合介电层的堆叠结构，所述第一键合介电层位于所述第一介电层上方；第二半导体结构，所述第二半导体结构包括第二介电层和第二键合介电层的堆叠结构，所述第二键合介电层位于所述第二介电层上方；以及键合焊盘，所述键合焊盘穿过所述第一介电层和所述第一键合介电层的堆叠结构以及所述第二介电层和所述第二键合介电层的堆叠结构，其中，所述第一键合介电层和所述第二键合介电层彼此接触，以及所述键合焊盘的穿过所述第一介电层的第一部分的第一宽度大于以下之中的每一个：所述键合焊盘的穿过所述第一键合介电层的第二部分的第二宽度和所述键合焊盘的穿过所述第二键合介电层的第三部分的第三宽度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 包括键合焊盘的半导体装置及其制造方法
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