龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：浙江工业大学;浙大城市学院
摘要：本发明涉及改善4H‑SiCPMOS沟道载流子迁移率以及栅氧可靠性的工艺方法，包括：通过H2刻蚀SiC表面的方法以减小界面粗糙度；采用化学气相沉积多晶硅并低温氧化形成氧化硅作为栅极氧化物；并采用Ar气后氧化退火工艺的方法。本发明的有益效果是：本发明不仅降低散射机制当中的粗糙度散射，同时使得化学气相沉积形成的多晶硅更加致密，使得栅极氧化物更加可靠；避免了SiC与O2在高温下发生反应，在界面处形成C簇团；并且在钝化了SiCSiO2界面的同时，避免了传统的氮氧化物退火工艺时氮氧化物中N元素对PMOS栅氧界面的负优化效果。
主权项：1.改善4H-SiCPMOS沟道载流子迁移率以及栅氧可靠性的工艺方法，其特征在于，包括：S1、提供SiCN+衬底，并在所述SiCN+衬底上形成SiCN-外延；S2、采用多次Al离子注入形成PMOS的源区和漏区；S3、采用多次N离子注入形成PMOS的体区；S4、向PMOS沟道区域注入Al元素，所述沟道区域位于源区和漏区之间；S5、采用H2对SiCN-外延表面进行刻蚀；S6、采用化学气相沉积工艺在所述SiCN-外延远离所述SiCN+衬底的一侧淀积多晶硅，并低温氧化所述多晶硅形成氧化硅作为栅极氧化层；S7、对所述栅极氧化层进行Ar气氛围后氧化退火；S8、将低压化学气相沉积原位掺杂P的多晶硅作为栅极，形成在所述栅极氧化层远离所述SiCN-外延的一侧上；S9、在源区、漏区以及体区淀积金属形成欧姆接触，并在Ar氛围下进行快速热退火；S10、通过磁控溅射工艺，沉积作为金属互连层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江工业大学 浙大城市学院 改善4H-SiC PMOS沟道载流子迁移率以及栅氧可靠性的工艺方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号