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申请/专利权人：江苏友润微电子有限公司
摘要：本发明公开了芯片制造技术领域内的一种防金属连线断裂的半导体防护器件芯片及其制造工艺，包括晶圆，晶圆的背面铺设钛镍银金属层，其特征在于：晶圆的正面铺设一层SiO2介质层，SiO2介质层上光刻有一次引线孔，一次引线孔穿透SiO2介质层并暴露晶圆的正面，SiO2介质层上沉积有一层PSG多晶硅介质层，PSG多晶硅介质层填充满一次引线孔，再PSG多晶硅介质层覆盖一次引线孔的部位上光刻有二次引线孔。通过在热氧化SiO2表面加一层PSG多晶硅介质层，提高芯片的可靠性，降低漏电流；采用两次引线孔，两次光刻分别采用不同宽度的，最终使孔的边缘处形成缓变的台阶结构，避免了只有一次光刻形成的侧向钻蚀导致的铝层断裂问题发生。
主权项：1.一种防金属连线断裂的半导体防护器件芯片，包括晶圆，晶圆的背面铺设钛镍银金属层，其特征在于：晶圆的正面铺设一层SiO2介质层，SiO2介质层上光刻有一次引线孔，一次引线孔穿透SiO2介质层并暴露晶圆的正面，SiO2介质层上沉积有一层PSG多晶硅介质层，PSG多晶硅介质层填充满一次引线孔，再PSG多晶硅介质层覆盖一次引线孔的部位上光刻有二次引线孔，二次引线孔内径小于一次引线孔并与一次引线孔同心，二次引线孔穿透PSG多晶硅介质层并暴露晶圆的正面，PSG多晶硅介质层表面铺设金属引线，金属引线填充满二次引线孔并于SiO2介质层欧姆接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏友润微电子有限公司 一种防金属连线断裂的半导体防护器件芯片及其制造工艺
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