龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院;重庆大学
摘要：本发明提供一种复合异质结光电探测器及其制备方法，其中，光电探测器包括：硅基底和位于硅基底上表面的SiO2绝缘层，硅基底和SiO2绝缘层上刻蚀有硅孔，硅孔内外延制备有PbTe材料，PbTe材料上沉积有位于硅孔内的三维石墨烯，得到PbTe‑grapheneSi复合异质结，硅基底的底面和所述SiO2绝缘层的上表面上均设置有电极，形成PbTe‑grapheneSi复合异质结结构的光电探测器。本发明实现了PbTe材料与三维石墨烯材料优势复合，延长了载流子寿命，提高了器件的增益，降低了器件暗电流，操作简单，室温制备，成本低廉，为制备具有宽光谱响应、高响应度和高灵敏度的光电探测器提供了研究思路。
主权项：1.一种复合异质结光电探测器，其特征在于，包括：硅基底和位于所述硅基底上表面的SiO2绝缘层，所述硅基底为P型硅，所述硅基底和SiO2绝缘层上刻蚀有硅孔，所述硅孔内外延制备有PbTe材料，制备得到的PbTe材料为N型，所述PbTe材料通过电化学原子层外延沉积技术制备得到，所述PbTe材料上沉积有位于硅孔内的三维石墨烯，所述三维石墨烯采用微波等离子化学气相沉积技术沉积，三维石墨烯在室温状态直接沉积在PbTe材料上形成复合材料，得到PbTe-grapheneSi复合异质结，所述硅基底的底面和所述SiO2绝缘层的上表面上均设置有电极，形成PbTe-grapheneSi复合异质结结构的光电探测器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 重庆大学 一种复合异质结光电探测器及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号