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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本发明涉及一种单光子探测器及其制作方法。所述制作方法中，在衬底正面形成第一电极后，移除所述衬底，再通过离子注入在外延层背面从所述外延层表面朝向所述外延层内部的第一预定深度内形成第二电极接触区，并形成与第二电极接触区电连接的第二电极。由于衬底被全部移除，外延层构成的基底层厚度均匀，外延层不同区域对光子的吸收能力以及光生载流子的传输距离较均匀，提升了单光子雪崩二极管和单光子探测器的均一性，并且，所述第二电极掺杂区的深度均匀且掺杂浓度容易控制和调节，使不同区域的第二电极的接触电阻均一，提升单光子雪崩二极管和单光子探测器的均一性和性能稳定性。所述单光子探测器可采用上述制作方法形成。
主权项：1.一种单光子探测器的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底包括衬底和形成于所述衬底表面的外延层，所述外延层具有第一掺杂类型，所述衬底的第一掺杂类型浓度大于所述外延层的第一掺杂类型浓度；在所述外延层中形成彼此邻接的二极管掺杂区，并在所述外延层正面形成第一电极，所述第一电极与所述彼此邻接的二极管掺杂区中的一个二极管掺杂区电连接；移除所述衬底，其中，利用湿法蚀刻至少去除与所述外延层相邻的部分所述衬底，并以所述外延层作为所述湿法蚀刻的停止层；对所述外延层的背面进行第一掺杂类型离子注入，以在所述外延层背面从所述外延层表面朝向所述外延层内部的第一预定深度内形成第二电极接触区；以及在所述第二电极接触区形成第二电极，所述第二电极与所述第二电极接触区电连接。
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百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 单光子探测器及其制作方法
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