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申请/专利权人：三江学院
摘要：本发明公开了一种新型超结SGTMOSFET器件及其制备方法，属于半导体技术领域，包括漏极接触金属层和源极接触金属层，以及设于两者之间的N+型衬底、超结区和隔离氧化层，超结区包括一个超结N柱区和两个下层超结P柱区，下层超结P柱区上方设有上层P柱区，上层P柱区内嵌装有P阱，P阱内嵌装有N+离子注入的源区；超结N柱区上方设有深沟槽，深沟槽中设有控制栅、屏蔽栅和栅氧化层。本发明进一步降低了导通电阻、提高了耐压值、调节了漂移区的电场分布、改善了控制栅中淀积的多晶硅的质量，并改善了电容效应，本申请提供的制备方法简化了新型超结SGTMOSFET器件的工艺步骤，节约了制造成本。
主权项：1.一种新型超结SGTMOSFET器件，包括漏极接触金属层13和与其连接的漏极14，以及源极接触金属层1和与其连接的源极15；其特征在于：所述漏极接触金属层13朝向源极接触金属层1的一侧设有N+型衬底12，所述N+型衬底12朝向源极接触金属层1的一侧设有超结区，所述超结区包括一个N柱和两个分别位于N柱两相对侧的P柱，所述P柱包括朝向源极接触金属层1的上层P柱区6和接触N+型衬底12的下层超结P柱区7，所述上层P柱区6内嵌装有P阱5，所述P阱5内嵌装有N+离子注入的源区3，所述上层P柱区6与源极接触金属层1之间设有隔离氧化层2；所述N柱靠近源极接触金属层1的一侧开设有深沟槽，所述深沟槽中设有控制栅9和屏蔽栅10，以及位于深沟槽侧壁和底部且隔离控制栅9和屏蔽栅10的栅氧化层11。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三江学院 一种新型超结SGT MOSFET器件及其制备方法
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