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申请/专利权人：西部数据技术公司
摘要：本发明公开了一种MRAM存储器单元，该MRAM存储器单元包括SHE层、具有垂直各向异性的磁位层和奥斯特层。该磁位层具有可切换的磁化方向以便存储数据。使用自旋霍尔效应将数据写入该MRAM存储器单元，使得在该SHE层中生成的自旋电流在该磁位层上施加转矩，同时该奥斯特层提供热量和奥斯特场以实现确定性切换。使用反常霍尔效应以及在所述奥斯特层处感测电压来从该MRAM存储器单元读取数据。
主权项：1.一种磁随机存取存储器，所述磁随机存取存储器包括：自旋霍尔效应层；奥斯特层，所述奥斯特层被配置为响应于通过所述奥斯特层的电流而提供奥斯特场；和磁性层，所述磁性层具有垂直磁各向异性，所述磁性层定位在所述自旋霍尔效应层和所述奥斯特层之间，所述磁性层具有能够响应于通过所述自旋霍尔效应层和所述奥斯特层的电流而切换的磁化方向，所述奥斯特层配置为提供具有极性的电信号，所述极性指示响应于通过所述自旋霍尔效应层的读取电流的所述磁性层的磁化方向。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西部数据技术公司 垂直SOT MRAM
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