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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明的目的在于提供一种高质量的错配层化合物SnS1.17NbS2的制备方法，属于二维材料制备技术领域。该方法以碘作为输运剂，并对材料生长环境进行特殊性设计，创新设计了“套娃”生长空间形式，能够增大整个生长环境的比热容并有效减小生长过程中的温度波动，从而使错配层化合物SnS1.17NbS2的生长更稳定，制备得到的材料质量更高。本发明生长出的错配层化合物SnS1.17NbS2单晶外观上呈现层状结构，层堆积结构清晰，组分均匀，性能优异，可作为高质量的超导材料应用于电力输运、光学探测、精密仪表制备等领域。
主权项：1.一种高质量的错配层化合物SnS1.17NbS2的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、将锡粉、铌粉和硫粉混合，然后在惰性气体气氛保护下研磨，研磨后放置于第一石英管的一端作为反应物，并在该端加入碘粉作为输运剂；步骤2、对步骤1得到的第一石英管进行抽真空处理，然后密封第一石英管管口；步骤3、将步骤2得到的第一石英管放置于第二石英管内，抽真空后密封，第二石英管的尺寸比第一石英管的尺寸大；步骤4、将步骤3得到的第二石英管放置于双温区管式炉炉腔内，管式炉两侧设置绝热石棉，然后对双温区管式炉抽真空、密封，使双温区管式炉炉腔内的气压与第二石英管管内的气压相同；步骤5、将第一石英管放置反应物的一侧区域的真空管式炉温度设置为1000～1050℃，称为高温反应区；将第一石英管未放置反应物的一侧区域的真空管式炉温度设置为900～950℃，称为低温生长区；高温反应区和低温生长区均以相同升温速率升温，待达到设定反应温度后，进行生长反应，反应时间为7～14天；步骤6、反应结束后，高温反应区和低温生长区均以相同降温速率进行降温，待两个温区的温度均降至室温后，打开真空管式炉和石英管，即可在第一石英管的低温生长区得到所需的SnS1.17NbS2错配层化合物。
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权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种高质量的错配层化合物的制备方法
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