龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要：本发明提供了一种改善衬底抛光片外延自掺杂的CVD工艺方法和系统，包括：步骤1：将试验测试硅片分别放置于不同的生产线CVD车间，收集样片并测试样片表面Ph含量，根据测试结果选定环境Ph含量低的车间加工；步骤2：在环境Ph含量低的车间内，在硅片背面常规沉积一层POLY膜；步骤3：在环境Ph含量低的车间内，在硅片背面POLY膜的基础上再沉积一层LTO膜；步骤4：在环境Ph含量低的车间内，利用去边机对背面LTO膜进行端面处理，使LTO膜去边距离在预设范围内。本发明提高了芯片使用稳定性、可靠性和寿命，解决了车规级芯片因硅片自掺杂效应大导致的芯片不耐压、漏电大等边缘失效异常问题。
主权项：1.一种改善衬底抛光片外延自掺杂的CVD工艺方法，其特征在于，包括：步骤1：将试验测试硅片分别放置于不同的生产线CVD车间，收集样片并测试样片表面Ph含量，根据测试结果选定环境Ph含量低的车间加工；步骤2：在环境Ph含量低的车间内，在硅片背面常规沉积一层POLY膜；步骤3：在环境Ph含量低的车间内，在硅片背面POLY膜的基础上再沉积一层LTO膜；步骤4：在环境Ph含量低的车间内，利用去边机对背面LTO膜进行端面处理，使LTO膜去边距离在预设范围内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 改善衬底抛光片外延自掺杂的CVD工艺方法和系统
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号