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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。将诸如集成电路管芯的器件安装在诸如另一管芯、封装衬底、内插器等的衬底上，并且沿着划线在衬底中形成凹槽。在凹槽中以及在邻近的管芯之间形成一个或多个模塑料层。可以实施背侧减薄工艺以暴露凹槽中的模塑料。在凹槽中的模塑料层中实施分割工艺。在实施例中，在凹槽中形成第一模塑料层，并且在第一模塑料层上方以及在邻近的管芯之间形成第二模塑料。可以在形成凹槽之前或之后，将器件放置在衬底上。本发明涉及用于防止薄晶圆破裂的结构和方法。
主权项：1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：提供安装在衬底的第一侧上的第一管芯和第二管芯以及位于所述第一管芯和所述第二管芯与所述衬底之间的重分布层，其中，所述衬底在所述第一管芯和所述第二管芯之间具有延伸穿过所述重分布层且延伸进入所述衬底的凹槽，所述凹槽暴露所述衬底和所述重分布层的侧壁，其中，所述衬底包括自所述重分布层的远离所述第一管芯和所述第二管芯的表面延伸的多个通孔，所述多个通孔未暴露于所述衬底与所述第一侧相对的第二侧上，并且其中，所述多个通孔在所述衬底中比所述凹槽延伸的更远；在所述凹槽中形成第一模塑料层，所述第一模塑料层沿着所述衬底和所述重分布层的所述侧壁；在所述第一模塑料层上形成第二模塑料层，所述第二模塑料层围绕所述第一管芯和所述第二管芯；减薄所述衬底，使得减薄的所述第二侧连续地平坦延伸以暴露所述多个通孔而不暴露所述第一模塑料层，所述第一模塑料层与减薄的所述第二侧通过所述衬底的部分间隔开，所述暴露的所述多个通孔位于所述第一管芯和所述第二管芯覆盖的区域内；穿过所述凹槽和减薄的所述第二侧分割所述第一模塑料层、所述第二模塑料层和所述衬底以形成分割的结构；其中，在所述分割的结构中，所述第一模塑料层的延伸至所述衬底内的底面与所述衬底的所述部分直接接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 用于防止薄晶圆破裂的结构和方法
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