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申请/专利权人：福建华佳彩有限公司
摘要：本发明公开一种避免IGZO与像素电极相互蚀刻的TFT基板及其制备方法，在不改变7Mask的光罩数量基础上，变更了像素电极的成膜顺序，将像素电极设计在与栅极共平面，并变更了现有DC光罩的开孔位置，可实现源漏极SD与像素电极之间的正常搭接，有效避免了IGZO与像素电极之间的相互蚀刻damage问题。
主权项：1.一种避免IGZO与像素电极相互蚀刻的TFT基板，其特征在于：其包括玻璃基板，在玻璃基板上设有栅极金属层GE和像素电极层PE，栅极金属层GE和像素电极层PE间隔设置在玻璃基板上表面；栅极绝缘层GI完全覆盖栅极金属层GE和像素电极层PE，并直接覆盖玻璃基板的非栅极金属层GE和像素电极层PE覆盖的区域，栅极绝缘层GI上设有连通像素电极层PE的DC孔；有源层SE设置在栅极金属层GE的上方对应的栅极绝缘层GI的部分区域，源漏极金属层SD覆盖在有源层SE上，源漏极金属层SD部分覆盖在栅极绝缘层GI上并通过DC孔与像素电极层PE搭接；绝缘层CH完全覆盖源漏极金属层SD并直接覆盖栅极绝缘层GI的部分区域；公共电极层UC设置在绝缘层CH上并覆盖绝缘层CH部分区域，公共电极层UC为顶层公共端设计；有源层SE即TFT器件半导体层，MOx，选用IGZO材料成型；公共电极UC为ITO层，像素电极PE为ITO层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 福建华佳彩有限公司 一种避免IGZO与像素电极相互蚀刻的TFT基板及其制备方法
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