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申请/专利权人：季华实验室;深圳市奥视微科技有限公司
摘要：本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种大马士革工艺、半导体集成电路结构、抛光工艺及晶圆。该大马士革工艺，包括：提供一种半导体基底，半导体基底包括层叠设置的单晶硅基底以及二氧化硅层；制备贯穿半导体基底的第一过孔；制备与第一过孔同中心的位于二氧化硅层的第二过孔；其中，第二过孔的孔径尺寸大于第一过孔的孔径尺寸，第一过孔和第二过孔内用于制备阻挡层和铜层。基于上述方案，本申请能够提高生产效率。
主权项：1.一种抛光方法，其特征在于，所述抛光方法用于抛光一种半导体集成电路结构；所述半导体集成电路结构包括：半导体基底，包括层叠设置的单晶硅基底以及二氧化硅层；阻挡层，设置在第一过孔和第二过孔的内壁上；铜层，填充所述第一过孔和所述第二过孔；其中，所述第一过孔贯穿所述半导体基底，所述第二过孔位于所述二氧化硅层且与所述第一过孔同中心，所述第二过孔的孔径尺寸大于所述第一过孔的孔径尺寸；所述抛光方法包括：获取所述铜层在所述第一过孔和所述第二过孔位置处的表面积；基于所述表面积确定抛光完成；所述基于所述表面积确定抛光完成，包括：基于所述表面积达到所述第一过孔的孔径尺寸，确定抛光完成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 季华实验室 深圳市奥视微科技有限公司 大马士革工艺、半导体集成电路结构、抛光工艺及晶圆
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