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申请/专利权人：红与蓝微电子(上海)有限公司
摘要：本发明提供一种氮化镓闪存制备方法，用于制作氮化镓闪存，所述制备方法包括以下步骤：步骤S1、形成一衬底，在所述衬底上依次形成缓冲层、沟道层和势垒层；步骤S2、在所述势垒层上侧形成一NPN浮栅结构；步骤S3、在所述NPN浮栅结构上侧形成电极结构；其中，所述NPN浮栅结构由上至下包括控制栅电极、第一氮化镓层、浮栅层、势垒层，本发明还包括对应的氮化镓闪存读写方法。根据本发明提供的氮化镓闪存制备方法提升了制备工艺的效率，降低了工艺成本，根据该制备方法得到的氮化镓闪存性能更优、极端场景下的鲁棒性更佳。
主权项：1.一种氮化镓闪存制备方法，用于制作一种氮化镓闪存，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：步骤S1、形成一衬底，在所述衬底上依次形成缓冲层、沟道层和势垒层；步骤S2、在所述势垒层上侧形成一NPN浮栅结构；步骤S3、在所述NPN浮栅结构上侧形成电极结构；其中，所述NPN浮栅结构由上至下包括控制栅电极、第一氮化镓层、浮栅层、势垒层。
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百度查询： 红与蓝微电子(上海)有限公司 一种氮化镓闪存制备方法和读写方法
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