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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本发明公开了一种掩埋结构半导体激光器的制作方法，包括：在InP衬底上形成第一外延层，第一外延层适用于产生激光；在第一外延层上依次外延生长InP包层、InGaAs盖层；刻蚀InP包层、InGaAs盖层，以由InP包层和InGaAs盖层形成脊波导，以及位于脊波导两侧的沟槽；在InGaAs盖层、脊波导上及位于脊波导两侧的沟槽内形成SiO2牺牲层；在SiO2牺牲层上形成硅填充层；去除脊波导两侧的沟槽外的硅填充层、SiO2牺牲层，以使SiO2牺牲层、硅填充层在脊波导两侧的沟槽内形成掩埋结构；在InGaAs盖层、掩埋结构上生长SiO2钝化层；刻蚀SiO2钝化层，以在脊波导上形成电极窗口；在电极窗口上形成正面电极层，在InP衬底另一侧形成背面电极层。本发明还提供一种利用上述的方法得到的掩埋结构半导体激光器。
主权项：1.一种掩埋结构半导体激光器的制作方法，其特征在于，包括：在InP衬底1上形成第一外延层100，所述第一外延层100适用于产生激光；在所述第一外延层100上依次外延生长InP包层10、InGaAs盖层11；刻蚀所述InP包层10、所述InGaAs盖层11，以由所述InP包层10和所述InGaAs盖层11形成脊波导101，以及位于所述脊波导101两侧的沟槽102；在所述InGaAs盖层11、所述脊波导101上及位于所述脊波导101两侧的沟槽102内形成SiO2牺牲层12；在所述SiO2牺牲层12上形成硅填充层13；去除所述脊波导101两侧的沟槽102外的所述硅填充层13、所述SiO2牺牲层12，以使所述SiO2牺牲层12、所述硅填充层13在所述脊波导101两侧的沟槽102内形成掩埋结构；在所述InGaAs盖层11、所述掩埋结构上生长SiO2钝化层14；刻蚀所述SiO2钝化层14，以在所述脊波导101上形成电极窗口；在所述电极窗口上形成正面电极层15，在所述InP衬底1的与所述第一外延层100相反的一侧形成背面电极层16。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 掩埋结构半导体激光器及其制作方法
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