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申请/专利权人：河南天璇半导体科技有限责任公司
摘要：本发明涉及组合式基片台、单晶金刚石的制备方法，属于单晶金刚石制备技术领域。本发明的组合式基片台，通过在载物钼片的上表面边缘位置设计半径为1～5mm的圆弧倒角，可有效抑制基片台边缘多晶的形成，长时间生长单晶金刚石时可有效保持边缘晶片温度的稳定。同时通过设置两个以上的散热钼片，可以有效调节籽晶表面温度，调高单晶金刚石的品质和良品率，同时可有效提高单晶金刚石的生长时长，增加成品厚度。
主权项：1.一种组合式基片台，其特征在于，包括由上而下依次叠合设置的载物钼片和散热钼片组，所述散热钼片组包括由上而下依次叠合设置的两个以上的散热钼片，所述载物钼片以及散热钼片组中各散热钼片均为圆柱形钼片，所述载物钼片的上端面用于放置单晶金刚石籽晶，所述载物钼片的上端面外边缘设有倒圆角，倒圆角的半径为1～5mm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 河南天璇半导体科技有限责任公司 组合式基片台、单晶金刚石的制备方法
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