龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：南京大学
摘要：本发明提供了一种抗辐照氮化镓功率二极管及其制作方法，属于半导体技术领域。采用上述制作方法制作的抗辐照氮化镓功率二极管，其与相关技术中的传统器件结构相比，通过将型氮化镓层分段间隔排列，在P型氮化镓层的间隔处以及P型氮化镓层和阳极欧姆金属层之间设置与下方氮化镓层直接接触的肖特基金属层。在反向偏置状态下，辐照产生的空穴能够经由P型氮化镓层的间隔处流动，并经由具有单向导电性的肖特基金属层高效地耗散至器件外部，解决现有技术中氮化镓功率二极管因辐照后发生阳极区域空穴积聚而导致的抗辐照能力差的技术问题。
主权项：1.一种抗辐照氮化镓功率二极管，其特征在于，包括自下而上设置的衬底层（1）、氮化镓层（2）和势垒层（3），所述势垒层（3）上沿第一方向间隔布置有多个P型氮化镓层（4），在与所述第一方向垂直的第二方向上，所述多个P型氮化镓层（4）两侧设置有与所述氮化镓层（2）连接的阳极欧姆金属层（5）和阴极欧姆金属层（6），所述多个P型氮化镓层（4）的上方与间隔处，以及所述多个P型氮化镓层（4）与所述阳极欧姆金属层（5）之间设置有沿所述第一方向布置的肖特基金属层（7），所述肖特基金属层（7）与所述氮化镓层（2）连接，所述阳极欧姆金属层（5）和所述肖特基金属层（7）上方设有阳极顶层金属层（51），所述阴极欧姆金属层（6）上方设有阴极顶层金属层（61），所述势垒层（3）到所述阳极顶层金属层（51）、所述阴极顶层金属层（61）之间的区域填充有绝缘介质层（8）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京大学 一种抗辐照氮化镓功率二极管及其制作方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号