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申请/专利权人：北京东方计量测试研究所
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提供一种氮化镓器件特性的调制方法和结构。方法主要包括：对氮化镓器件施加外界电场，外界电场通过逆压电效应耦合作用于氮化镓器件；通过变化外界电场的强度和方向对氮化镓器件的特性进行调制。本发明可以根据氮化镓器件不同的应用场景，通过调整外界电场的强度和方向，对氮化镓器件特性进行特定调制，以适应不同场景下氮化镓器件应用需求，促进氮化镓器件性能的更充分发挥，带动氮化镓器件在宇航、雷达、电子对抗等国防军事领域以及5G、电力电子等民用领域的更有效利用。
主权项：1.一种氮化镓器件特性的调制方法，其特征在于，包括：对氮化镓器件施加外界电场，其中，所述氮化镓器件包括：衬底、氮化镓层、势垒层、源极、栅极和漏极；所述氮化镓层与所述势垒层之间还包括氮化铝插层；其中，所述势垒层为氮化铝镓、氮化铟镓和氮化铝中的任意一种类型；所述栅极与所述势垒层直接接触；所述外界电场耦合作用于所述氮化镓器件；通过变化所述外界电场的强度和方向对所述氮化镓器件的特性进行调制；其中，所述外界电场是基于对所述氮化镓器件的金属电极施加高压形成的，所述金属电极位于所述氮化镓器件的衬底上，用于响应高压产生所述外界电场，所述氮化镓器件的源极作为公共端接地。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京东方计量测试研究所 氮化镓器件特性的调制方法和结构
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