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申请/专利权人：索泰克公司
摘要：本发明涉及一种用于制造双绝缘体上半导体结构的方法，该结构从结构的背面到正面包括：处理衬底、第一电绝缘层1b、第一单晶半导体层2、第二电绝缘层2b和第二单晶半导体层3，该方法的特征在于它包括：‑在处理衬底的正面和背面上形成氧化物层的第一步骤，以形成第一电绝缘层1b和在处理衬底的背面上的氧化物层1a’‑第一层转移步骤，以转移第一单晶半导体层2，‑形成氧化物层的第二步骤，以形成第二电绝缘层2b，‑第二层转移步骤，以转移第二单晶半导体层3。
主权项：1.一种用于制造双绝缘体上半导体结构的方法，所述双绝缘体上半导体结构从所述结构的背面到正面依次包括：处理衬底1、第一电绝缘层1b、第一单晶半导体层2、第二电绝缘层2b和第二单晶半导体层3，所述方法的特征在于，所述方法包括以下步骤：-在所述处理衬底1的正面和背面上形成氧化物层的第一步骤，以在所述处理衬底的所述正面上形成所述第一电绝缘层1b并且在所述处理衬底的所述背面上形成氧化物层1a，-第一层转移步骤，以将所述第一单晶半导体层2从第一供体衬底转移到所述第一电绝缘层1b，以形成第一绝缘体上半导体衬底，所述第一绝缘体上半导体衬底从所述第一绝缘体上半导体衬底的背面到正面依次包括所述氧化物层1a、所述处理衬底1、所述第一电绝缘层1b和所述第一单晶半导体层2，-在所述第一绝缘体上半导体衬底的所述正面上形成氧化物层的第二步骤，以形成所述第二电绝缘层2b并使所述氧化物层1a变厚，-第二层转移步骤，以将所述第二单晶半导体层3从第二供体衬底转移到所述第二电绝缘层2b，以形成双绝缘体上半导体衬底，所述氧化物层1a有助于在第一转移步骤和第二转移步骤期间保持所述处理衬底的平坦度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 索泰克公司 用于制造双绝缘体上半导体结构的方法
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