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申请/专利权人：浙江芯晟半导体科技有限责任公司
摘要：本发明公开了一种PAD刻蚀之后表面处理的方法及半导体元件，方法包括以下步骤：向腔室内通入工艺气体，根据摆阀位置、气体流量、工艺压力中的一项或两项调整其余参数以保持腔室状态稳定；以预设射频功率进行预设时长的离子轰击，以进行全部或部分光刻胶的剥离。本发明无需高温即可对晶圆表面的生成物进行清理，可减少F离子腐蚀，也有利于避免因腔室温度加高带来的塌胶、糊胶，便于去除表面较硬的光刻胶，并且无需改造腔室，也不涉及产品本身结构限制，解决了生成物难以清理且清理后影响光刻胶去除的问题，适用范围广。
主权项：1.一种PAD刻蚀之后表面处理的方法，其特征在于，包括以下步骤：向腔室内通入工艺气体，根据摆阀位置、气体流量、工艺压力中的一项或两项调整其余参数以保持腔室状态稳定；以预设射频功率进行预设时长的离子轰击，以进行全部或部分光刻胶的剥离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江芯晟半导体科技有限责任公司 一种PAD刻蚀之后表面处理的方法及半导体元件
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