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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本发明公开了一种InP半导体激光器的制作方法，包括：在InP衬底上生长第一外延层；在第一外延层上生长InP间隔层、光栅层；在光栅层上生长包括InP填充层、刻蚀停止层、InP包层及InGaAs盖层的第二外延层；刻蚀InP包层、InGaAs盖层，以形成脊波导；在刻蚀停止层和脊波导上外延生长氧化硅连接层；在氧化硅连接层上生长多晶硅层；刻蚀多晶硅层，形成多晶硅波导层，其中，多晶硅波导层与脊波导的楔形波导的周边连接；在氧化硅连接层、脊波导、多晶硅波导层上生长氧化硅钝化层；去除脊波导上的氧化硅钝化层，形成电极窗口；在电极窗口上形成正面电极层，在InP衬底的与第一外延层相反的一侧形成背面电极层。本发明还提供一种上述的制作方法得到的InP半导体激光器。
主权项：1.一种InP半导体激光器的制作方法，其特征在于，包括：在InP衬底1上生长第一外延层，所述第一外延层包括InP缓冲层2、下限制层3、有源层4、上限制层5；在所述第一外延层上生长InP间隔层6，在所述InP间隔层6上形成光栅层7；在所述光栅层7上生长第二外延层，所述第二外延层包括InP填充层8、刻蚀停止层9、InP包层10及InGaAs盖层11；刻蚀所述InP包层10、所述InGaAs盖层11，以由所述InP包层10和所述InGaAs盖层11形成脊波导，所述脊波导包括宽度不变的直波导和朝着出光端面宽度逐渐变小的楔形波导；在所述刻蚀停止层9和所述脊波导上外延生长氧化硅连接层12；在所述氧化硅连接层12上生长多晶硅层；刻蚀所述多晶硅层，形成多晶硅波导层13，其中，所述多晶硅波导层13与所述脊波导的楔形波导的周边连接；在所述氧化硅连接层12、所述脊波导、所述多晶硅波导层13上生长氧化硅钝化层14；去除所述脊波导上的氧化硅钝化层，形成电极窗口；在所述电极窗口上形成正面电极层15，在所述InP衬底1的与所述第一外延层相反的一侧形成背面电极层16。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 InP半导体激光器及其制作方法
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