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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供基底，所述基底包括衬底以及沿第一方向位于所述衬底上的第一介质层，所述第一方向与所述衬底的顶面垂直；于所述基底中形成沟槽，所述沟槽沿所述第一方向贯穿所述第一介质层并延伸至所述衬底的内部，所述沟槽的顶部至少沿第二方向向所述第一介质层的内部凹陷，所述第二方向与所述衬底的顶面平行；形成填充满所述沟槽的隔离层。本发明实现了对沟槽填充工艺的简化，改善了沟槽填充效果，提升了半导体结构的性能和良率，并增大了研磨工艺的窗口，降低了研磨工艺的难度。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基底，所述基底包括衬底以及沿第一方向位于所述衬底上的第一介质层，所述第一方向与所述衬底的顶面垂直；于所述基底中形成沟槽，所述沟槽沿所述第一方向贯穿所述第一介质层并延伸至所述衬底的内部，所述沟槽的顶部至少沿第二方向向所述第一介质层的内部凹陷，所述第二方向与所述衬底的顶面平行；形成填充满所述沟槽的隔离层。
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百度查询： 上海积塔半导体有限公司 半导体结构及其形成方法
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