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一种半导体外延长晶用石墨载盘的使用方法 

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申请/专利权人:安徽凯威半导体科技有限公司

摘要:本发明公开了一种半导体外延长晶用石墨载盘的使用方法,石墨载盘包括由多个子盘体相互拼接而成的载盘本体,于内座体的下端构造有连接管,于连接管的下端构造有连接接头,于连接管上且位于连接接头的上方开设有多个导通孔,于内座体的上端开设有安装槽,连接管的内腔与安装槽相互连通。本发明的方法为:将多个石墨载盘沿竖向依次连接,将同一型号的硅片或者不同型号的硅片放置在这些石墨载盘上,再将这些石墨载盘放置在开合式反应炉内进行外延作业。本发明能够有效地实现大批量硅片外延的目的,提高了硅片的外延效率,适应不同形态硅片的同步外延作业,提高了外延品质,降低了石墨载盘的耗损成本。本发明适用于半导体外延的技术领域。

主权项:1.一种半导体外延长晶用石墨载盘的使用方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1.首先,将多个载盘本体沿竖直方向依次连接在一起,并且使得连接管的连接接头可拆卸连接于相对应的安装槽内,并将位于最下方的载盘本体的连接管的下端封闭;步骤2.再在每个载盘本体的上端面上放置多个硅片;步骤3.之后,将这些载盘本体放置在开合式反应炉内,关闭开合式反应炉,控制导气机构与位于最上方的载盘本体连接,使得导气机构与各连接管连通;步骤4.对开合式反应炉内位于各载盘本体上方的旋流布气机构进行同步供气,先通入氮气,再通入氢气,多余的气体由导气机构排出;步骤5.然后,对位于载盘本体和旋流布气机构之间的电加热器进行通电,使得电加热器对载盘本体进行加热;步骤6.当完成外延长晶生长后,停止加热,再将氢气和氨气依次通入旋流布气机构;步骤7.当开合式反应炉内的温度降低预定范围内时,开炉并将依次连接的载盘本体取出,然后,将各个硅片取下;其中,半导体外延长晶用石墨载盘包括由多个子盘体相互拼接而成的载盘本体,且这些子盘体设置于内座体和外固定环之间,于内座体的下端构造有连接管,于所述连接管的下端构造有连接接头,于连接管上且位于连接接头的上方开设有多个导通孔,于内座体的上端开设有安装槽,连接管的内腔与安装槽相互连通;所述开合式反应炉包括两个相互扣合的半炉本体,于各所述半炉本体的上端可拆卸安装有半盖体,当两个半炉本体相互扣合形成完整的炉体时,两个半盖体相互拼接形成完整的上端盖;两半炉本体择一与机架连接,另一个半炉本体与驱动气缸连接,且驱动气缸可驱动相应的半炉本体靠近或者远离另一个半炉本体;所述旋流布气机构包括两个半布气本体,这两个半布气本体分别连接于两个半炉本体上,且当两个半炉本体相互扣合时,两个半布气本体拼接并覆盖载盘本体的上方空间;所述半布气本体具有布气腔,于半布气本体的周沿处构造有环形气道,所述环形气道与布气腔相互连通,于半布气本体上构造有进气接头管,所述进气接头管与环形气道连通,且进气接头管伸出相应的半炉本体,于半布气本体的下端壁上沿半布气本体的周向均匀地开设有多个旋流导气口,各所述旋流导气口与布气腔连通;所述半布气本体的下端壁为中心处向下凸起的伞状结构,于各所述半布气本体的周沿上构造有固定沿,于所述固定沿上开设有多个第一连接孔,于半炉本体的周壁上与第一连接孔相对应的位置处开设有第二连接孔。

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