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半导体测试结构及测试方法 

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申请/专利权人:上海华力集成电路制造有限公司

摘要:本发明提供一种半导体测试结构及测试方法,半导体测试结构包括第一互连结构组和第二互连结构组,第二互连结构组与第一互连结构组并联连接以构成惠斯通电桥;第一互连结构组和第二互连结构组均包括两个串联连接的互连结构,每个互连结构均包括至少两个串联连接的互连子结构,每个互连子结构均包括自下而上依次设置的四个被测线、接触结构和四个引线,每个被测线的两端各设有两个接触结构,每个引线均与两个不同的被测线一端的接触结构电性连接,同一互连子结构中,所有被测线通过接触结构以及引线相互电性连接并构成一闭合回路。如此,可以增加互连结构的复杂性,从而增加失效单元,便于推算被测线的使用寿命。

主权项:1.一种半导体测试结构,其特征在于,包括:第一互连结构组和第二互连结构组,所述第二互连结构组与所述第一互连结构组并联连接以构成惠斯通电桥;所述第一互连结构组和所述第二互连结构组均包括两个串联连接的互连结构,每个所述互连结构均包括至少两个串联连接的互连子结构,每个所述互连子结构均包括自下而上依次设置的四个被测线、接触结构和四个引线,每个所述被测线的两端各设有两个所述接触结构,每个所述引线均与两个不同的所述被测线一端的所述接触结构电性连接,同一所述互连子结构中,所有所述被测线通过所述接触结构以及所述引线相互电性连接并构成一闭合回路。

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权利要求:

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