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申请/专利权人：无锡邑文微电子科技股份有限公司;江苏邑文微电子科技有限公司
摘要：本发明提供了一种热铝填孔的方法及半导体加工设备，所述方法包括以下步骤：（1）对含有待填孔的基底进行脱气和预清洁处理；（2）无氮保护气氛下，在所述待填孔的侧面和底面沉积钛层；（3）含氮混合保护气氛下，在钛层上沉积氮化钛层；（4）在氮化钛层上生长冷铝种籽层后，在冷铝种籽层上生长热铝层完成填孔。本发明在热铝填孔的过程中，使用含氮混合保护气氛沉积钛层降低氮化钛层的电阻率，并进一步减少填铝产生的孔隙，提高铝填孔的均匀性。
主权项：1.一种热铝填孔的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：（1）对含有待填孔的基底进行脱气和预清洁处理；（2）无氮保护气氛下，在所述待填孔的侧面和底面沉积钛层；（3）含氮混合保护气氛下，在钛层表面沉积氮化钛层；（4）在氮化钛层表表面生长冷铝种籽层后，在冷铝种籽层上生长热铝层完成填孔；其中，步骤（3）所述含氮混合保护气氛中的气体包括氮气和氩气；所述待填孔的孔边倾斜度≤70°时，所述含氮混合保护气氛中氩气和氮气的流量比为1:2.5~3.5，所述沉积氮化钛层的压力为5~6mtorr；所述待填孔的孔边倾斜度70°时，所述含氮混合保护气氛中氩气和氮气的流量为1:1.75~2.25，所述沉积氮化钛层的压力为6~6.3mtorr。
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