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新型集成电路产品 

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申请/专利权人:日月新半导体(昆山)有限公司

摘要:本发明涉及封装工艺技术领域,具体是一种新型集成电路产品,包括有芯片,所述芯片的表面设置有连接层,所述连接层的上端设置有阻焊层,所述阻焊层的上端设置有焊料层,所述焊料层为AuSn合金。本发明的焊料层采用AuSn合金设计,且AuSn合金中各材料的质量之比为8:2,从而不仅具有较低的熔点,同时还拥有高达57Wm·k的高导热率,显著优于传统焊接材料,且高导热率还有助于快速有效传递热量,减少芯片工作时的温升,进而提高了集成电路在高功率应用场合中的热稳定性与可靠性。

主权项:1.一种新型集成电路产品,其特征在于,包括有芯片,所述芯片的表面设置有连接层1,所述连接层1的上端设置有阻焊层2,所述阻焊层2的上端设置有焊料层3,所述焊料层3为AuSn合金。

全文数据:

权利要求:

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