龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：纳维达斯半导体有限公司
摘要：本公开涉及用于GaN功率集成电路的热增强电子封装。一种电子功率转换组件包含导电封装基底，所述导电封装基底包括源极端子、漏极端子、至少一个IO端子及裸片附接衬垫，其中所述源极端子与所述裸片附接衬垫电隔离。GaN基半导体裸片紧固到所述裸片附接衬垫，且包含具有源极及漏极的功率晶体管，其中所述源极电耦合到所述源极端子，且所述漏极电耦合到所述漏极端子。多个焊线将所述源极电耦合到所述源极端子，且将所述漏极电耦合到所述漏极端子。囊封物形成于所述GaN基半导体裸片、所述多个焊线及所述封装基底的至少顶表面上。
主权项：1.一种电子装置，包括：引线框架，所述引线框架包含裸片附接衬垫、漏极端子、源极端子及至少一个IO端子，其中所述裸片附接衬垫、所述漏极端子、所述源极端子与所述至少一个IO端子彼此电隔离；以及氮化镓GaN基装置，所述GaN基装置具有电连接到所述裸片附接衬垫的衬底，且包含耦合到所述漏极端子的漏极、耦合到所述源极端子的源极及耦合到所述至少一个IO端子的IO，其中所述衬底通过所述裸片附接衬垫电连接到地。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 纳维达斯半导体有限公司 用于GaN功率集成电路的热增强电子封装
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号