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半导体器件及形成方法、封装结构 

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申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

摘要:本发明提供一种半导体器件及其形成方法、封装结构,其中半导体器件包括基底,基底内具有互连金属层和暴露在基底表面的第一键合焊盘,第一键合焊盘与互连金属层电连接;位于第一键合焊盘上的第二键合焊盘,第一键合焊盘和第二键合焊盘电连接;位于第二键合焊盘上的凸块;能够有效提升最终形成的封装结构的性能,提升产品的良率。

主权项:1.一种半导体器件,其特征在于,包括:基底,所述基底内具有互连金属层和暴露在所述基底表面的第一键合焊盘,所述第一键合焊盘与所述互连金属层电连接;位于所述第一键合焊盘上的第二键合焊盘,所述第一键合焊盘和所述第二键合焊盘电连接;位于所述第二键合焊盘上的凸块。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体器件及形成方法、封装结构

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