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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：半导体装置可以包括：衬底上的器件隔离部，器件隔离部限定第一有源部分和第二有源部分，第一有源部分的中心部分在第一方向上与第二有源部分的边缘部分相邻。第一杂质区可以在第一有源部分的中心部分中，第二杂质区可以在第二有源部分的边缘部分中。第一位线可以与第一杂质区直接接触，并且可以在与第一方向相交的第二方向上横跨衬底延伸。存储节点接触件可以与第二杂质区接触，存储节点接触件的上侧壁和下侧壁在存储节点接触件的共同侧上彼此不竖直对齐。
主权项：1.一种半导体存储器装置，包括：衬底上的器件隔离部，所述器件隔离部限定第一有源部分和第二有源部分，所述第一有源部分的中心部分在第一方向上与所述第二有源部分的边缘部分相邻；第一杂质区，其在所述第一有源部分的所述中心部分中；第二杂质区，其在所述第二有源部分的所述边缘部分中；第一位线，其与所述第一杂质区直接接触，并在第二方向上与所述衬底交叉，所述第二方向与所述第一方向相交；以及存储节点接触件，其与所述第二杂质区接触，其中，所述第一杂质区的上端高于所述第二杂质区的上端，并且其中，所述存储节点接触件的上侧壁不与所述存储节点接触件的下侧壁竖直对齐，所述上侧壁和所述下侧壁二者位于所述存储节点接触件的共同侧上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 半导体存储器装置及其制造方法
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