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申请/专利权人：嘉兴晶丰芯驰半导体材料有限公司
摘要：本发明涉及一种碳化硅外延片及制备方法和半导体器件，具体涉及半导体技术领域，所述碳化硅外延片包括碳化硅衬底，及依次设置于碳化硅衬底上的缓冲层、第一外延层、第二外延层、第三外延层、第四外延层和第五外延层；所述第四外延层进行氟元素注入。本发明提供的碳化硅外延片，通过在第四外延层上进行氟元素注入，对第四外延层的电子进行了耗尽，从而形成埋层结构进而避免Al离子的污染，避免了器件漏电流的增加。
主权项：1.一种碳化硅外延片，其特征在于，所述碳化硅外延片包括碳化硅衬底，及依次设置于碳化硅衬底上的缓冲层、第一外延层、第二外延层、第三外延层、第四外延层和第五外延层；所述第四外延层进行氟元素注入。
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