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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
摘要：提供了形成半导体封装的方法和形成多个半导体封装的方法。形成半导体封装的方法包括：提供基板；将半导体管芯安装在基板上，其中半导体管芯的主表面背向基板；在半导体管芯的主表面上形成垂直互连元件；在基板上形成密封半导体管芯的密封剂；在密封剂的上表面处暴露垂直互连元件；在密封剂的上表面上形成与暴露的垂直互连元件接触的第一级金属盘；以及在密封剂的上表面上形成结构化金属区域，其中，形成结构化金属区域包括对第一级金属盘进行结构化。
主权项：1.一种形成半导体封装的方法，所述方法包括：提供基板；将第一半导体管芯安装在所述基板上，其中所述第一半导体管芯的主表面背向所述基板；在所述第一半导体管芯的主表面上形成垂直互连元件；在所述基板上形成密封所述第一半导体管芯的密封剂；在所述密封剂的上表面处暴露所述垂直互连元件；在所述密封剂的上表面上形成与暴露的垂直互连元件接触的第一级金属盘；以及在所述密封剂的上表面上形成结构化金属区域，其中，形成所述结构化金属区域包括对所述第一级金属盘进行结构化。
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