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申请/专利权人：中芯南方集成电路制造有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底，衬底包括基底以及基底上的若干鳍部结构；在基底以及鳍部结构表面形成初始隔离材料层，初始隔离材料层包括若干器件区以及若干隔离区，各隔离区位于相邻鳍部结构之间；回刻蚀器件区，在基底表面形成浅沟槽隔离结构以及若干第一隔离层，各第一隔离层位于部分鳍部结构之间；在基底上形成横跨鳍部结构以及第一隔离层的伪栅；在伪栅内形成若干栅极切割开口，各栅极切割开口暴露出第一隔离层顶部表面，栅极切割开口沿垂直于伪栅的延伸方向贯穿伪栅。所述半导体结构及其形成方法改善了形成栅极切割隔离结构的工艺窗口，优化了栅极切割隔离结构的形貌。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括基底以及基底上的若干鳍部结构；位于所述基底表面的浅沟槽隔离结构；位于浅沟槽隔离结构表面的若干第一隔离层，各所述第一隔离层位于部分所述鳍部结构之间；横跨所述鳍部结构和第一隔离层的栅极，所述栅极的顶部表面高于所述第一隔离层的顶部表面；位于所述栅极内的若干第二隔离层，且各第二隔离层位于所述第一隔离层顶部表面，所述第二隔离层沿垂直于栅极的延伸方向贯穿栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯南方集成电路制造有限公司 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
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