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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本申请涉及一种深沟槽的形成方法及半导体结构；该深沟槽的形成方法包括：提供目标层；刻蚀目标层，于目标层中形成初始沟槽；初始沟槽的槽深的取值范围包括目标槽深的三分之一至二分之一；形成至少覆盖初始沟槽的内侧壁顶部的刻蚀保护层；基于覆盖有刻蚀保护层的初始沟槽，对目标层进行二次刻蚀，形成深沟槽；深沟槽的槽深为目标槽深。本申请能够有效避免过刻问题，以提高对深沟槽的关键尺寸的可控性，从而有利于提升产品良率。
主权项：1.一种深沟槽的形成方法，其特征在于，包括：提供目标层；刻蚀所述目标层，于所述目标层中形成初始沟槽；所述初始沟槽的槽深的取值范围包括目标槽深的三分之一至二分之一；形成至少覆盖所述初始沟槽的内侧壁顶部的刻蚀保护层；基于覆盖有所述刻蚀保护层的所述初始沟槽，对所述目标层进行二次刻蚀，形成深沟槽；所述深沟槽的槽深为所述目标槽深。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 深沟槽的形成方法及半导体结构
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