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申请/专利权人：湖北九峰山实验室
摘要：本发明公开了一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件及其制作方法，包括由下至上的漏极、N+衬底、N‑外延层、P阱区、N+源区、源极，所述N‑外延层中具有平行设置的栅极沟槽和P+源区，所述栅极沟槽下方的N‑外延层内具有P+掩蔽层和垂直穿透所述P+掩蔽层的P+接地层，所述P+掩蔽层下方具有N+导流层。本发明的器件结构能够更好地保护槽角，降低槽角的电场强度，提高器件的可靠性。
主权项：1.一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件，其特征在于，包括由下至上的漏极、N+衬底、N-外延层、P阱区、N+源区、源极，所述N-外延层中具有平行设置的栅极沟槽和P+源区，所述栅极沟槽下方的N-外延层内具有P+掩蔽层和垂直穿透所述P+掩蔽层的P+接地层，所述P+掩蔽层下方具有N+导流层；所述P+接地层垂直穿透所述N+导流层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北九峰山实验室 一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件及其制作方法
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