龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：国网福建省电力有限公司电力科学研究院;国网福建省电力有限公司;南京南瑞半导体有限公司
摘要：本发明涉及一种SiCMOSFET器件，通过在SiCMOSFET中引入集成肖特基二极管区域及双极型电流增强区域，可有效降低器件反向导通时的开启电压，并同时增强器件反向导通高密度双极型电流的浪涌能力。本发明的器件结构和制备简单，与传统SiCMOSFET制备工艺兼容，可实现高性能、批量化的SiCMOSFET器件生产。
主权项：1.一种SiCMOSFET器件，其特征在于，包括：第一掺杂类型的重掺杂的衬底；第一掺杂类型的轻掺杂的第一外延层，位于所述衬底的上表面；第二掺杂类型的阱区，位于所述第一外延层中；第一掺杂类型的源区，位于所述阱区中；第二掺杂类型的接触区，位于所述阱区中；栅介质层，位于所述外延层的上表面；第一掺杂类型的多晶硅层，位于所述栅介质层的上表面；源极欧姆接触层，位于所述第一掺杂类型的源区和第二掺杂类型的接触区的上表面；肖特基接触层，位于所述外延层上表面；漏极欧姆接触层，位于所述衬底的下表面；双极型电流增强区域，位于所述外延层中、相邻两个接触区之间；双极型电流增强区域接触层，位于双极型电流增强区域上表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国网福建省电力有限公司电力科学研究院 国网福建省电力有限公司 南京南瑞半导体有限公司 一种SiC MOSFET器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号