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申请/专利权人：上海陆芯电子科技有限公司
摘要：本发明实施例公开一种应变碳化硅场效应晶体管。该应变碳化硅场效应晶体管包括碳化硅衬底；设置于碳化硅衬底一侧的外延层；体区和源区均位于外延层远离碳化硅衬底的一侧；栅绝缘层设置于外延层远离碳化硅衬底的一侧；栅极多晶硅层，栅极多晶硅层设置于栅绝缘层远离碳化硅衬底的一侧；体区和源区均位于栅极多晶硅层的两侧；源极位于体区远离碳化硅衬底的一侧并与源区电连接；栅绝缘层包括层叠设置的至少一层第一绝缘层和至少一层第二绝缘层；第一绝缘层位于第二绝缘层靠近碳化硅衬底的一侧；第二绝缘层的介电常数大于第一绝缘层的介电常数。本实施例提供的技术方案降低应变碳化硅场效应晶体管的导通电阻，提高单位面积的电流密度，降低芯片成本。
主权项：1.一种应变碳化硅场效应晶体管，其特征在于，包括：碳化硅衬底；设置于所述碳化硅衬底一侧的外延层；所述外延层为应变碳化硅外延层；所述外延层的热膨胀系数与所述碳化硅衬底的热膨胀系数不同；所述碳化硅衬底的材料包括3C-碳化硅，所述应变碳化硅外延层的材料包括4H-碳化硅；体区和源区，均位于所述外延层远离所述碳化硅衬底的一侧；所述源区位于所述体区远离所述碳化硅衬底的一侧；栅绝缘层，设置于所述外延层远离所述碳化硅衬底的一侧；栅极多晶硅层，所述栅极多晶硅层设置于所述栅绝缘层远离所述碳化硅衬底的一侧；所述体区和所述源区均位于所述栅极多晶硅层的两侧；源极，位于所述体区远离所述碳化硅衬底的一侧，并与所述源区电连接；所述栅绝缘层包括层叠设置的至少一层第一绝缘层和至少一层第二绝缘层；所述第一绝缘层位于所述第二绝缘层靠近所述碳化硅衬底的一侧；所述第二绝缘层的介电常数大于所述第一绝缘层的介电常数；所述栅绝缘层的形状包括沟槽型，沿垂直于所述碳化硅衬底的方向，所述栅绝缘层至少部分覆盖所述体区，至少部分覆盖所述源区以及至少部分覆盖所述外延层；沿垂直于所述碳化硅衬底的方向，所述栅绝缘层部分覆盖所述外延层；所述第一绝缘层的厚度大于或等于8nm，且小于或等于10nm，第二绝缘层的厚度大于或等于50nm，且小于或等于60nm；所述栅绝缘层的厚度小于或等于70nm。
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权利要求：
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