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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：本申请涉及包括背面晶体管的半导体装置。一种半导体装置可包括第一基板，第一基板具有第一表面和面对第一表面的第二表面。可提供层叠结构，其设置在第一基板的第一表面上并且包括交替地层叠的多个层间绝缘层和多个水平布线层以及穿过多个层间绝缘层和多个水平布线层的多个沟道结构。多个上晶体管可设置在第一基板的第二表面上。可提供逻辑结构，其设置在层叠结构上并且包括多个下晶体管。
主权项：1.一种半导体装置，该半导体装置包括：第一基板，该第一基板具有第一表面和面对所述第一表面的第二表面；层叠结构，该层叠结构设置在所述第一基板的所述第一表面上，并且包括交替地层叠的多个层间绝缘层和多个水平布线层以及穿过所述多个层间绝缘层和所述多个水平布线层的多个沟道结构；多个上晶体管，所述多个上晶体管位于所述第一基板的所述第二表面上；以及逻辑结构，该逻辑结构设置在所述层叠结构上，并且包括多个下晶体管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 包括背面晶体管的半导体装置
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