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申请/专利权人：浙江驰拓科技有限公司
摘要：本申请提供了一种自旋轨道矩磁存储器件的制作方法以及磁存储器件。该方法包括：首先，提供基底，基底至少包括衬底；之后，在基底的表面上依次形成层叠的自旋轨道矩材料层、间隔层、磁性隧道结叠层以及硬掩膜层；之后，去除部分硬掩膜层、部分磁性隧道结叠层以及部分间隔层，使得部分间隔层的表面裸露，剩余的硬掩膜层、剩余的磁性隧道结叠层以及突出部形成预备磁性隧道结部；最后，在预备磁性隧道结部的侧壁上形成保护层，预备磁性隧道结部和保护层形成磁性隧道结部，去除磁性隧道结部两侧的本体部，使得部分自旋轨道矩材料层裸露。该方法解决了现有技术中自旋轨道矩材料层易受刻蚀损伤导致表面不平坦的问题。
主权项：1.一种自旋轨道矩磁存储器件的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底至少包括衬底；在所述基底的表面上依次形成层叠的自旋轨道矩材料层、间隔层、磁性隧道结叠层以及硬掩膜层；去除部分所述硬掩膜层、部分所述磁性隧道结叠层以及部分所述间隔层，使得部分所述间隔层的表面裸露，剩余的所述间隔层形成本体部和突出部，所述本体部与所述自旋轨道矩材料层接触，所述突出部位于所述本体部的远离所述自旋轨道矩材料层的部分表面上且与所述磁性隧道结叠层接触，剩余的所述硬掩膜层、剩余的所述磁性隧道结叠层以及所述突出部形成预备磁性隧道结部；在所述预备磁性隧道结部的侧壁上形成保护层，所述预备磁性隧道结部和所述保护层形成磁性隧道结部，去除所述磁性隧道结部两侧的所述本体部，使得部分所述自旋轨道矩材料层裸露，剩余的所述本体部形成间隔部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江驰拓科技有限公司 自旋轨道矩磁存储器件的制作方法以及磁存储器件
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