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申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
摘要：本公开涉及包括具有不同横向邻近分段的栅极的半导体器件和方法。公开了半导体器件和形成该器件的方法的实施例。该器件包括具有位于半导体层上的第一和第二分段的栅极。第一分段包括第一栅极电介质层和第一栅极导体层，并且可选地包括位于第一栅极导体层上的可选附加栅极导体层。第二分段包括位于半导体层上并且还延伸到第一栅极导体层的顶部上的第二栅极电介质层和第二栅极导体层。第二栅极电介质层比第一栅极电介质层薄。栅极侧壁隔离物位于第一栅极导体层上、横向邻近第二分段的侧壁定位例如，位于该侧壁和可选的附加栅极导体层之间。第一和第二分段或者电连接以通过栅极偏压进行偏置，或者电隔离以通过不同的栅极偏压进行偏置。
主权项：1.一种器件，包括：半导体层；栅极，其包括：第一栅极分段，其包括：位于所述半导体层上的第一栅极电介质层；以及位于所述第一栅极电介质层上的第一栅极导体层；第二栅极分段，其包括：位于所述半导体层上并且还延伸到所述第一栅极导体层上的第二栅极电介质层；以及位于所述第二栅极电介质层上的第二栅极导体层，其中，所述第二栅极电介质层比所述第一栅极电介质层薄；以及栅极侧壁隔离物，其位于所述第一栅极分段的所述第一栅极导体层上，并且横向邻近所述第二栅极分段的所述第二栅极电介质层和所述第二栅极导体层定位。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 包括具有不同横向邻近分段的栅极的半导体器件和方法
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