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申请/专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
摘要：本申请提供了一种优化N型沟槽MOS管栅极多晶硅的制备工艺及MOS管，具体包括：对沟槽中填充的栅极多晶硅进行回刻直到所述栅极多晶硅的上表面低于所述硅上表面预设高度；在所述回刻后的栅极多晶硅上表面生长一层第一氧化层；在所述沟槽之间的硅上表面进行注入形成第一注入区；刻蚀全部去除硅上表面第二氧化层和硅上表面的第一氧化层直到露出栅极多晶硅的顶部；在所述栅极多晶硅上表面和硅上表面生长一层第三氧化层。本申请实施例可以避免击穿薄弱点的存在而造成氧化层被击穿从而栅极和源极之间发生短路，提高了N型沟槽MOS器件的良率及可靠性。
主权项：1.一种优化N型沟槽MOS管栅极多晶硅的制备工艺，其特征在于，包括：对沟槽中填充的栅极多晶硅进行回刻直到所述栅极多晶硅的上表面低于所述硅上表面预设高度；在所述回刻后的栅极多晶硅上表面生长一层第一氧化层；在所述沟槽之间的硅上表面进行注入形成第一注入区；刻蚀全部去除硅上表面第二氧化层和栅极多晶硅上表面的第一氧化层直到露出栅极多晶硅的顶部；在所述栅极多晶硅上表面和硅上表面生长一层第三氧化层。
全文数据：
权利要求：
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