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一种降低纳米晶晶体结构对称性实现聚合物基光波导放大器增益带宽展宽的方法 

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申请/专利权人:吉林大学

摘要:本发明公开了一种降低纳米晶晶体结构对称性实现聚合物基光波导放大器增益带宽展宽的方法,属于宽带光通信技术领域,通过掺杂与基质晶格离子半径相差较大的其它离子,降低纳米晶中镧系发光中心离子周围晶体结构的对称性,增加不同晶体场格位,使掺杂在纳米晶中的镧系发光中心离子,其简并的4f能级发生J劈裂,实现纳米晶晶格中掺杂的镧系离子在光通信波段的能级跃迁发射光谱的展宽。本发明的有益之处在于可用一种发光中心离子掺杂的纳米晶实现该发光中心离子发光光谱展宽;并通过将此种纳米晶掺杂在聚合物基质中可制备出具有宽带发光的纳米晶‑聚合物有机无机复合增益介质;以此种复合物作为增益介质可实现掺杂纳米晶的聚合物基光波导放大器的工作带宽展宽,实现宽带光放大。

主权项:1.一种降低纳米晶晶体结构对称性实现聚合物基光波导放大器增益带宽展宽的方法,其特征在于,具体包括如下步骤:S1、在纳米晶基质材料中掺杂一种或多种金属阳离子;其中,所述纳米晶基质材料选用NaREF4;S2、利用纳米晶合成方法将镧系发光中心离子掺杂进上述纳米晶基质材料的晶格中;S3、通过化学方法在纳米晶基质材料的表面修饰有机配体或聚合活性基团,获得可直接进行物理掺杂或可与聚合物单体共聚合的纳米粒子;S4、将表面修饰后的纳米粒子与聚合物通过物理掺杂或化学共聚,制备得到复合聚合物,作为增益介质;S5、将增益介质制备成光波导器件,从而实现放大器增益带宽展宽。

全文数据:

权利要求:

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