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申请/专利权人：电子科技大学

摘要：本发明提供了一种带高阶温度补偿的基准电压源电路，包括：启动电路，用于使整体电路摆脱零电流简并点，达到期望的稳定工作点；基准核电路，用于得到经一阶温度补偿后的基准电压；高阶温度补偿电路，用于产生高阶项的正温度系数补偿电流以优化温度系数。本发明采用的高阶温度补偿电路对温度系数的改善效果明显，且为全CMOS结构，结构简单，避免了电阻的使用，因而占用较小的版图面积；另外补偿电路基于亚阈值区的MOS管，静态电流小，增加的额外功耗低。

主权项：1.一种带高阶温度补偿的基准电压源电路，其特征在于，包括：启动电路，用于使整体电路摆脱零电流简并点，达到期望的稳定工作点；基准核电路，用于产生经一阶温度补偿后的基准电压；高阶温度补偿电路，用于为所述基准核电路提供高阶正温度系数补偿电流；所述启动电路包括第一PMOS管、第二PMOS管和第一电容；所述第一PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的栅极和所述第一电容的一端分别相连；所述第一电容的另一端和地端连接；所述基准核电路包括运算放大器和三个PMOS管构成的电流镜，所述运算放大器输出端连接该电流镜的栅极；所述第二PMOS管的漏极与所述运算放大器的负输入端相连，用于注入电流来使电路正常工作；所述第一PMOS管MP1的栅极连接所述电流镜的栅极；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的阈值电压绝对值比第三PMOS管大；所述高阶温度补偿电路包括第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，四个PMOS管的栅极相连构成电流镜，所述第八PMOS管栅漏极短接后与第一NMOS管的漏极相连，所述第二NMOS管栅漏极短接后分别与第一NMOS管的栅极、第九PMOS管的漏极相连，所述第四NMOS管的栅漏极短接后分别与第七PMOS管的漏极、第三NMOS管的栅极相连，所述第三NMOS管的漏极与所述第一NMOS管的源极相连，所述第六PMOS管的漏极与基准输出端相连，向基准核电路输入高阶正温度特性的补偿电流；所述第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管的源极接地端；所述第一NMOS管和第二NMOS管被设计工作在亚阈值区，且第一NMOS管的宽长比是第二NMOS管的宽长比的K倍，用来产生正温度系数的栅源电压差ΔVGS；所述第三NMOS管、第四NMOS管被设计工作在饱和区。

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