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申请/专利权人：燕山大学

摘要：本发明涉及半导体集成电路技术领域，特别是涉及一种垂直结构功率MOSFET大信号等效电路模型，包括：栅源等效电路单元、栅漏等效电路单元、漏源等效电路单元、沟道区热电阻单元、寄生源区等效电阻Rs、寄生漏极等效电阻Rd、寄生栅极等效电阻Rg，其中，栅漏等效电路单元与沟道区热电阻单元串联，与栅源等效电路单元并联，形成第一支路；漏源等效电路单元并联到第一支路上，形成第二支路；寄生源区等效电阻Rs、寄生漏极等效电阻Rd分别串联到第二支路的两端，寄生栅极等效电阻Rg连接到沟道区热电阻单元上。本发明能精确反映功率MOSFET器件的物理本质，准确的模拟器件物理特性，具有参数少、提取参数简单的优点。

主权项：1.一种垂直结构功率MOSFET大信号等效电路模型，其特征在于，包括：栅源等效电路单元100、栅漏等效电路单元200、漏源等效电路单元300、沟道区热电阻单元400、寄生源区等效电阻Rs501、寄生漏极等效电阻Rd502、寄生栅极等效电阻Rg503；其中，所述栅漏等效电路单元200与所述沟道区热电阻单元400串联，与所述栅源等效电路单元100并联，形成第一支路；所述漏源等效电路单元300并联到所述第一支路上，形成第二支路；所述寄生源区等效电阻Rs501、寄生漏极等效电阻Rd502分别串联到所述第二支路的两端，所述寄生栅极等效电阻Rg503连接到所述沟道区热电阻单元400上；所述栅漏等效电路单元200包括：栅漏本征电容CGD201、栅漏过覆盖电容CGDO202，所述栅漏本征电容CGD201和所述栅漏过覆盖电容CGDO202并联于栅介质端G’和漏端D’之间；所述漏源等效电路单元300包括：源漏电容CDS301、源漏电流IDS302，所述源漏电容CDS301和所述源漏电流IDS302并联于漏端D’和源区端S’之间；所述沟道区热电阻单元400包括：热电阻Rcs401、热电阻Rcd402、热电阻Rox403、热电阻Rgd404、热电阻Rgs405，所述热电阻Rcs401位于沟道中心C与源区端S’之间，所述热电阻Rcd402位于沟道中心C与漏端D’之间，所述热电阻Rox403位于沟道中心C与栅介质端G’之间，所述热电阻Rgd404位于栅介质端G’和漏端D’之间，所述热电阻Rgs405位于栅介质端G’和源区端S’之间。

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