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一种可调电压的SiC MOSFET驱动电路、装置及设备 

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申请/专利权人:中国南方电网有限责任公司

摘要:本发明公开一种可调电压的SiCMOSFET驱动电路、装置及设备,所述电路包括:变压器隔离电路、电平转换电路和保护电路和SiCMOSFET;所述变压器隔离电路的输入端与驱动信号源相连,所述变压器隔离电路与所述电平转换电路相连;所述电平转换电路与所述保护电路相连,所述电平转换电路输出端的输出电压可调;所述保护电路与所述SiCMOSFET相连。采用本发明,驱动电路可以有效地控制SiCMOSFET的开关状态以及灵活调整电压大小,同时通过稳压二极管D1和D2提供了额外的保护,防止过高的驱动电压损坏MOSFET。

主权项:1.一种可调电压的SiCMOSFET驱动电路,其特征在于,包括:变压器隔离电路、电平转换电路和保护电路和SiCMOSFET;所述变压器隔离电路的输入端与驱动信号源相连,所述变压器隔离电路的第一输出端、第二输出端分别与所述电平转换电路的第一输入端、第二输入端相连;所述电平转换电路的第一输出端、第二输出端分别与所述保护电路的第一输入端、第二输入端相连,所述电平转换电路的第一输出端的输出电压和第二输出端的输出电压可调;所述保护电路的第一输出端、第二输出端分别与所述SiCMOSFET的栅极、源极相连。

全文数据:

权利要求:

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