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申请/专利权人：厦门意行半导体科技有限公司

摘要：本发明涉及功率检测领域，具体涉及一种毫米波功率检测电路，包括直流偏置模块、检测电流转换模块、检测MOS管M9和功率耦合模块；直流偏置模块的输出端和功率耦合模块的输出端电性连接在检测MOS管M9的栅极上；提取单元的输入端与检测MOS管M9的漏极电性连接，检测电流转换模块的输出端作为输出端输出直流电压Vout；直流偏置模块产生随温度升高而升高的偏置电压Vbias输出给检测MOS管M9的栅极；功率耦合模块输出耦合电压Vsig至检测MOS管M9的栅极；检测MOS管M9将耦合电压Vsig转换为电流输出至检测电流转换模块。偏置电压Vbias对因温度引起的电压波动进行补偿，提高检测精度。

主权项：1.一种毫米波功率检测电路，其特征在于，包括直流偏置模块、检测电流转换模块、检测MOS管M9和功率耦合模块；所述检测电流转换模块包括提取单元和滤波单元；所述直流偏置模块和提取单元的电源输入端均与外部电源电性连接；所述直流偏置模块的输出端和功率耦合模块的输出端电性连接在检测MOS管M9的栅极上，所述直流偏置模块为检测MOS管M9提供偏置电压Vbias；所述功率耦合模块为检测MOS管M9提供耦合电压Vsig；所述提取单元的输入端与检测MOS管M9的漏极电性连接，所述提取单元的输出端与滤波单元电性连接，并作为输出端输出直流电压Vout；所述提取单元提取检测MOS管M9的漏极电流，所述滤波单元滤除高频信号；所述检测MOS管M9的源极接地；所述直流偏置模块包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6和电阻R1、电阻R2；所述MOS管M1的源极、MOS管M3的源极和MOS管M5的源极均与外部电源模块电性连接；所述MOS管M1的栅极与MOS管M3的栅极、漏极、MOS管M4的漏极和MOS管M5的栅极电性连接；所述MOS管M1的漏极与MOS管M2的栅极、漏极和MOS管M4的栅极电性连接；所述MOS管M4的源极与电阻R1的一端电性连接；所述MOS管M5的漏极与MOS管M6的漏极、栅极和电阻R2的一端电性连接，所述电阻R2的另一端与检测MOS管M9的栅极电性连接；所述MOS管M2的源极、MOS管M6的源极和电阻R1的另一端均接地；所述MOS管M1、MOS管M3和MOS管M5均为PMOS管，所述电阻R1为负温度系数电阻。

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