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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：公开了3D存储器件的实施例及其形成方法。在一个示例中，公开了用于形成3D存储器件的方法。在第一衬底上形成外围电路。在第二衬底上形成第一半导体层。在第一半导体层上形成支撑结构和与支撑结构共面的第二半导体层。在支撑结构和第二半导体层上方形成存储堆叠层。存储堆叠层具有与支撑结构重叠的阶梯区域。形成垂直地延伸穿过存储堆叠层和第二半导体层进入第一半导体层中的沟道结构。以面对面的方式键合第一衬底和第二衬底。
主权项：1.一种三维3D存储器件，其特征在于，包括第二半导体结构，所述第二半导体结构包括：介电层；存储堆叠层，包括沿第一方向堆叠设置的导电层和电介质层；支撑结构，位于所述介电层和所述存储堆叠层之间；第二半导体层，位于所述介电层和所述支撑结构之间；第三半导体层，位于所述存储堆叠层和所述支撑结构之间；沟道结构，沿所述第一方向贯穿所述存储堆叠层和所述第三半导体层，并延伸至所述第二半导体层中；以及源极触点，贯穿所述介电层，并与所述第二半导体层连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 用于形成具有用于阶梯区域的支持结构的三维存储器件的方法
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