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申请/专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
摘要：本申请提供了一种双极结型晶体管，包括至少一个元胞，元胞包括：集电极接触区，集电极接触区横向中较长的方向为第一横向方向，较短的方向为第二横向方向；基极区；基极注入区，连接在基极区朝向集电极接触区的一侧；氧化物隔离区，形成在基极注入区和集电极接触区之间；一个基极注入区对应至少两个基极接触区，每个基极接触区位于基极注入区和氧化物隔离区之上，且基极接触区中连接在氧化物隔离区之上的部分为第二连接部，各个基极接触区沿第一横向方向间隔设置在与之对应的基极注入区之上；第二连接部之上设置基极接触孔；基极金属，连接在各个基极接触孔之上。本申请实施例解决了传统的BJT的基极电阻较大的技术问题。
主权项：1.一种碳化硅的双极结型晶体管，其特征在于，包括至少一个元胞，所述元胞包括：集电极接触区（3-9），所述集电极接触区（3-9）横向中较长的方向为第一横向方向，较短的方向为第二横向方向；基极区（1-11），与所述集电极接触区（3-9）在第二横向方向间隔设置；基极注入区（1-4），连接在所述基极区朝向所述集电极接触区的一侧；氧化物隔离区（14），形成在所述基极注入区和所述集电极接触区之间；一个所述基极注入区（1-4）对应至少两个基极接触区（1-3），每个所述基极接触区（1-3）位于所述基极注入区（1-4）和所述氧化物隔离区（14）之上，且所述基极接触区（1-3）中连接在所述氧化物隔离区（14）之上的部分为第二连接部（1-32），各个所述基极接触区（1-3）沿第一横向方向间隔设置在与之对应的所述基极注入区（1-4）之上；基极接触孔（1-2），所述第二连接部（1-32）之上设置基极接触孔；基极金属（1-1），连接在各个所述基极接触孔（1-2）之上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州华太电子技术股份有限公司 一种碳化硅的双极结型晶体管
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