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申请/专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
摘要：本申请实施例提供了一种IGBT器件，包括集电极；形成在集电极之上的电场终止层；形成在电场终止层之上的电场过渡层；形成在电场过渡层之上的漂移区，以及形成在漂移区内的多个的柱区；形成在漂移区上方的阱区；其中，电场过渡层的掺杂浓度电场终止层的掺杂浓度，漂移区和电场过渡层分别能够发生电导调制效应积累少数载流子；电场过渡层的电荷总量Q总小于等于k％×Ecεs使得IGBT器件关断，所述电场过渡层被完全耗尽，电场在所述电场过渡层降低且在所述电场终止层减小至0。k％为最小预设工作电压条件下电场强度占临界击穿电场强度的百分比。本申请实施例解决了传统的SJ‑IGBT器件关断能量损耗较大的技术问题。
主权项：1.一种IGBT器件，其特征在于，包括：第一掺杂类型的集电极（12）；形成在所述集电极之上的第二掺杂类型的电场终止层（11）；形成在所述电场终止层之上的第二掺杂类型的电场过渡层（1）；形成在所述电场过渡层之上的第二掺杂类型的漂移区（2），以及形成在漂移区内且沿垂直耐压方向间隔排列的多个第一掺杂类型的柱区（3）；形成在所述漂移区上方的第一掺杂类型的阱区（7）；其中，电场过渡层的掺杂浓度电场终止层的掺杂浓度，漂移区和电场过渡层分别能够发生电导调制效应积累少数载流子；电场过渡层的电荷总量Q总满足预设条件使得IGBT器件关断，所述电场过渡层被完全耗尽，电场在所述电场过渡层降低且在所述电场终止层减小至0，电场过渡层的电荷总量Q总满足的预设条件为小于等于k%×Ec，k%为IGBT器件的最小预设工作电压条件下电场强度占临界击穿电场强度的百分比，Ec为Si的临界击穿场强，为Si的介电常数；电场过渡层的厚度电场终止层的厚度；电场过渡层的掺杂浓度的量级1013cm3到1015cm3，使得电场过渡层会发生电导调制效应；电场终止层的掺杂浓度的量级为1017cm3到5×1017cm3，电场终止层不会发电导调制效应。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州华太电子技术股份有限公司 一种IGBT器件
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