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一种具有亚波长结构蓝光探测芯片的制备方法 

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申请/专利权人:暨南大学

摘要:本发明公开了一种具有亚波长结构蓝光探测芯片的制备方法,该方法包括选取二氧化硅片,对二氧化硅片依次进行超声清洗处理和烘干处理;基于真空环境下,对二氧化硅片进行蒸镀处理,生成铝金属层;在铝金属层上表面沉积硅外延层,并通过光刻工艺与离子注入法对硅外延层进行处理,生成不同掺杂的硅外延层和二氧化硅圆柱阵列;通过光刻工艺与镀膜工艺制备金微纳结构阵列,制备具有亚波长结构蓝光探测芯片。本发明的制作方法集成度高,可批量生产,并且该制作方法所得的蓝光探测芯片具有较高的量子效率和波长选择性。本发明作为一种具有亚波长结构蓝光探测芯片的制备方法,可广泛应用于光电技术领域。

主权项:1.一种具有亚波长结构蓝光探测芯片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、选取二氧化硅片,对二氧化硅片依次进行超声清洗处理和烘干处理;S2、基于真空环境下,对二氧化硅片进行蒸镀处理,生成铝金属层;S3、基于等离子体增强化学的气相沉积法在铝金属层上表面沉积硅层,并结合离子注入生成不同掺杂的硅外延层;通过微光电子机械系统工艺技术在硅层表面光刻出二氧化硅柱阵列的掩膜图形,利用离子注入工艺去除掩膜层,生成二氧化硅圆柱阵列;S4、通过光刻工艺与镀膜工艺在硅层上表面制备金微纳结构阵列,制备具有亚波长结构蓝光探测芯片;所述硅层包括p+型硅外延层、p型硅外延层、i型本征硅外延层、n+型硅外延层和n型硅外延层中的几种组合而成,所述硅外延层的组合方向包括垂直方向和水平方向;所述硅外延层组合方向为水平方向时,对铝金属层利用光刻工艺旋涂保护层,并进行硅烷热分解处理在铝金属层表面沉积绝缘二氧化硅层,处理后再去除保护层。

全文数据:

权利要求:

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